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中科院:基于鋯鈦酸鉛的低電壓驅動MEMS電場傳感器研究
2022-08-01
文章詳情

| 鋯鈦酸鉛   /   低電壓驅動   /

微機電系統(tǒng)   /   中國科學院大學   |

PZT/   Low driving voltage   /   MEMS   / UCAS

原文鏈接

電場測量技術廣泛應用于航空航天、氣象、電網、石油石化和工業(yè)生產等諸多領域,電場傳感器作為電場測量的核心器件在其中發(fā)揮著重要的作用。

針對靜電場檢測的應用場合,大部分采用基于電荷感應原理的電場傳感器。隨著微機電系統(tǒng)(MEMS)技術的發(fā)展,基于電荷感應原理的 MEMS 電場傳感器因其體積小、功耗低、可批量制造等優(yōu)點受到廣泛關注,多家單位開展了相關研究工作。

目前已報道的 MEMS 電場傳感器中,靜電驅動式由于與 MEMS 工藝兼容性高而率先實現(xiàn)批量化制造并已有實際應用的報道。靜電驅動式 MEMS 電場傳感器存在著驅動力較小和驅動電壓較高的不足。驅動電壓越高,由驅動信號產生的電場越大,對外界電場測量的干擾也越大,且較低的驅動電壓可以簡化電路,降低系統(tǒng)功耗。

為了降低敏感結構的驅動電壓、提高驅動力,文章提出一種基于鋯鈦酸鉛(PZT)的低電壓驅動 MEMS 電場傳感器。本傳感器采用壓電驅動,與靜電驅動方式相比,顯著降低了驅動電壓;本電場傳感器采用互屏蔽電極結構,固定電極與可動電極均為感應電極,同時兩者又是屏蔽電極,可提高電荷感應效率。

傳感器結構設計與原理分析

文章提出的 MEMS 電場傳感器結構與工作原理如圖 1 所示。其結構主要由固定電極、可動電極、絕緣層和驅動層構成;其中,單個固定電極和單個可動電極構成一組互屏蔽電極;驅動層主要由 PZT 壓電薄膜構成。傳感器基于電荷感應原理進行測量,固定電極與可動電極均為感應電極,同時兩者又是屏蔽電極。在壓電材料 PZT 的驅動下,可動電極產生垂直振動,可動電極與固定電極形成交互屏蔽,當存在待測電場時,分別在可動電極和固定電極上產生相位差為 180 ° 的感應電流信號,兩者通過差分提升信噪比。

圖 1 傳感器結構與原理示意圖

結構仿真

仿真主要包括靜電學仿真和可動結構的運動仿真。根據(jù)優(yōu)化后的結構參數(shù),對 3 組互屏蔽電極上的電場分布進行了仿真,如圖 2 和圖 3 所示。

( a ) 3 組互屏蔽電極上的電場分布   ( b ) 電極 3 和電極 4 上的電場分布

圖 2 互屏蔽電極在可動電極靜止狀態(tài)下的電場分布圖

圖 3 互屏蔽電極在可動電極運動狀態(tài)下的電場分布圖

對設計的可動結構進行了 3 維仿真,仿真模型和仿真結果如圖 4 所示。諧振頻率為3649.8 Hz,諧振時可動結構上的最大位移可達8 μ m左右。

( a )   可動結構仿真模型   ( b ) 梁 1 上最大位移與頻率的關系   ( c ) 可動結構諧振時其上各部位的位移

圖 4 可動結構位移的仿真模型和仿真結果

傳感器敏感芯片制備

設計并研究敏感芯片制備工藝,采用溶膠凝膠法制備了壓電薄膜,突破了基于 PZT 壓電材料的可動電極 MEMS 工藝兼容制備技術。對制備好的壓電薄膜進行 X 射線衍射(XRD),結果如圖 5 所示,XRD 圖譜表明壓電薄膜 PZT 已經完成了鈣鈦礦的結晶。

圖 5 壓電薄膜的 XRD 圖

通過 MEMS 加工工藝制造出電場敏感芯片,尺寸為 5 mm × 5 mm,其掃描電鏡(SEM)照片如圖 6 所示。

( a )   電場敏感芯片   ( b )   可動結構與壓電驅動梁   ( c )   互屏蔽電極對

圖 6   電場敏感芯片的 SEM 照片

傳感器性能測試

在室溫和室內大氣壓條件下,1 V 的交流驅動電壓作用下,設計的電傳傳感器的諧振頻率為 3666 Hz。使電傳傳感器工作在諧振狀態(tài),施加 0~50 kV/m 的電場,傳感器的電場響應曲線如圖 7 所示。通過線性擬合得到了電場傳感器系統(tǒng)的靈敏度為0.292 mV/ ( kV/m ),線性度為2.89%,敏感結構的靈敏度為19.47 pA/ ( kV/m )該傳感器具有驅動電壓低的突出優(yōu)點。作者計劃后續(xù)將在現(xiàn)有基礎上進一步對傳感器敏感結構和測試電路進行設計優(yōu)化,有望獲得更好的性能。

圖 7   電場傳感器的響應曲線

結語

文章提出一種基于 PZT 的低電壓驅動 MEMS 電場傳感器,進行了原理分析、結構設計、有限元仿真、制備工藝研究和實驗測試。基于 PZT 的低電壓驅動 MEMS 電場傳感器中固定電極和可動電極均為感應電極,同時又為互屏蔽電極。文章設計并研究了敏感芯片制備工藝流程,制備了壓電驅動薄膜,突破了基于 PZT 壓電材料的可動電極 MEMS 工藝兼容制備技術。XRD 結果表明壓電薄膜 PZT 已經完成了鈣鈦礦的結晶。該傳感器具有工作電壓低的突出優(yōu)點。

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