如今壓力傳感器、壓感傳感器、慣性傳感器等mems器件被廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品，對(duì)于各大廠(chǎng)商而言MEMS的檢測(cè)一直是業(yè)內(nèi)的難點(diǎn)。今天SPEA將分享MEMS電場(chǎng)傳感器測(cè)試相關(guān)內(nèi)容。
什么是MEMS電場(chǎng)傳感器？
mems電場(chǎng)傳感器是一種用來(lái)測(cè)量電場(chǎng)強(qiáng)度的器件，一般是基于硅基或其他金屬材料，在微米級(jí)甚至納米級(jí)上采用IC工藝、微機(jī)械設(shè)計(jì)與加工工藝、封裝技術(shù)，這種MEMS傳感器在氣象探測(cè)、航空航天、工業(yè)生產(chǎn)、智能電網(wǎng)、國(guó)防軍事和科學(xué)研究方面具有十分重要的作用。而在目標(biāo)探測(cè)、高靈敏的靜電測(cè)量等方向?qū)`敏度要求較高。
MEMS傳感器主要測(cè)試那些項(xiàng)目？
MEMS測(cè)試技術(shù)是對(duì)MEMS 傳感器用到的材料、結(jié)構(gòu)、制造工藝過(guò)程、器件特性等性能進(jìn)行測(cè)量，評(píng)估其是否符合設(shè)計(jì)目標(biāo)、使用要求、應(yīng)用范圍的內(nèi)容。通常測(cè)試內(nèi)容包括幾何量測(cè)試、力學(xué)性能測(cè)試、電學(xué)性能測(cè)試、可靠性測(cè)試等；按過(guò)程環(huán)節(jié)可以劃分為晶圓級(jí)測(cè)試、器件級(jí)測(cè)試兩大類(lèi)。
晶圓級(jí)測(cè)試技術(shù)應(yīng)用于MEMS產(chǎn)品3個(gè)開(kāi)發(fā)階段
晶圓級(jí)測(cè)試是對(duì)晶圓上設(shè)計(jì)的微結(jié)構(gòu)完整性、部件特性、連接、封裝等開(kāi)展的測(cè)試，測(cè)試量有幾何量、機(jī)械量、材料特性等。這些測(cè)試主要應(yīng)用于MEMS 產(chǎn)品開(kāi)發(fā)全周期的3 個(gè)階段：
產(chǎn)品研發(fā)(R&D)階段：用以驗(yàn)證敏感器件設(shè)計(jì)可行性、預(yù)期性能、可靠性和穩(wěn)定性等，獲得器件基本特征；
產(chǎn)品量產(chǎn)階段(中試階段)：驗(yàn)證器件成品率、特性一致性等量產(chǎn)能力；
量產(chǎn)階段：最大化生產(chǎn)能力和降低成本。
MEMS電場(chǎng)傳感器晶圓級(jí)測(cè)試主要內(nèi)容
MEMS電場(chǎng)傳感器晶圓級(jí)微電子系統(tǒng)測(cè)試主要是靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，包括微小電容、電阻、固有頻率、品質(zhì)因數(shù)、帶寬。通常先對(duì)專(zhuān)門(mén)的測(cè)試圖形(testkey)進(jìn)行各類(lèi)模擬器件電參數(shù)的測(cè)試，監(jiān)控各道工序是否正常和穩(wěn)定；然后對(duì)滿(mǎn)足測(cè)試圖形的晶圓級(jí)器件開(kāi)展晶圓級(jí)的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
對(duì)MEMS電場(chǎng)傳感器除了進(jìn)行相關(guān)的電學(xué)特性測(cè)試外，重點(diǎn)應(yīng)進(jìn)行微結(jié)構(gòu)測(cè)試，包括微機(jī)械結(jié)構(gòu)和形貌測(cè)試、微機(jī)械力學(xué)與動(dòng)態(tài)特性測(cè)試、微機(jī)械熱學(xué)特性測(cè)試、微機(jī)械光學(xué)特性測(cè)試等。
以上就是MEMS電場(chǎng)傳感器測(cè)試晶圓級(jí)測(cè)試的主要內(nèi)容，下期SPEA將分享mems器件性能測(cè)試及MEMS傳感器測(cè)試原理。
